寬 能 隙 Wbg

寬 能 隙 Wbg. 而目前市場所談的 第三代寬能隙半導體 就是指碳化矽sic 和氮化鎵gan 。2021年，可以說是 第三代寬能隙半導體 嶄露頭角的一年，已成為半導體先進材料的代表。到底什麼是「寬能隙wide band gap, wbg」? Si 的能隙為 1.1 電子伏特 (ev)；而 sic 的能隙為 3.3 ev，gan 的能隙為 3.4 ev。 圖 1：si 半導體在導帶和價帶間的能隙，比 sic 和 gan 的能隙要窄，這也是後兩者稱為「寬能隙半導體」的原因所在。(圖片來源：stmicroelectronics) 相較於傳統的矽，wbg 半導體能讓元件在更高.

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